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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率開關裝置,常用於電力電子應用中。它結合了MOSFET(金氧半場效電晶體)的高速開關特性和BJT(雙極電晶體)的低開啟電壓特性,具有低開啟電壓、高開關速度和低導通電阻等優點。IGBT廣泛應用於變頻器、電力電子驅動器、電力供應器等領域。

作用#

外行一句話理解:

一個超高頻的電子開關,每秒可開關上萬次,高頻的開關可以實現將直流交流轉換、交流電的變頻

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  • 是新能源汽車、高鐵的核心部件

    1. 電網裡的交流電,轉換見為直流電存儲電池
    2. 電池裡的直流電,轉換為雙流電供電機驅動
    3. 通過開關頻率,控制電機的轉速
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  • 光伏、風電、儲能、工控是新空間


對比#

對比 mos 管:小電流

對比三級管:三級管可以大電壓,但控制電流消耗過大。

IGBT:大電壓(6500V)、大電流(3500AV)、開關頻率高(>10k/s)


知識點#

方波交流電#

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正鉉交流電#
  • 增加開關次數
  • 增加電容(存儲)
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控制芯片#

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供應商#

國外主要是英飛凌,18 年後,通過收購,開始有國內的 IGBT 廠商。
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空間#
  • 根據中國產業信息網數據,2014 年,我國 IGBT 市場規模 79.8 億元,2021 年為 224.6 億元,複合年均增長率達 15.93%
  • 據測算,中國 IGBT 市場空間有望在 2025 年達到 591 億元
  • 2021 年國產 IGBT 2580 萬,需求量達到 13200 萬

增加率、國替空間都高


原始資料#

芯未半導體正在建設成都高新西區高端功率半導體器件和組件研發及產業化項目,項目一期建成各類功率半導體器件和功率組件共 130.25 萬隻(套)滿產產能,已於 2022 年 8 月開工建設,廠房建設現已封頂,擬於 2024 年一季度竣工驗收,預計 2026 年滿產。

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